日経マイクロデバイス 2004/02号

Cover Story Part3
2007年●high—k膜 三つの課題を克服

 high—k膜は,電気的なゲート絶縁膜厚を薄くしたまま,物理膜厚を厚くすることによって,ゲート・リークを抑制する技術である。2001年は,さまざまな材料候補が登場し,百花繚乱だったが,2002年半ばから材料はHf酸化物に収束する方向が見えてきた(図11)。2002年のIEDMではHf酸化物への窒素の導入が話題を集め,懸案だった耐熱性の問題に対して改善の見通しがついた。(43〜46ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3155文字

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update:19/09/26