日経マイクロデバイス 2004/02号

Cover Story Part3
リソより材料性能を重視 ひずみ,high—k,有機FETがブレイク
ロジックLSI

露光技術に替わり,材料技術がロジックLSIの進化をけん引し始めた。ロジックLSIは,これまでSiトランジスタのゲート長を縮小する露光技術によって高速・低消費電力化を達成してきた。しかし,今後は露光技術を進化させずにチャネル材料やゲート絶縁材料を変えることによって高速・低消費電力化を達成していく。この具体例がひずみSiと高誘電率(high—k)ゲート絶縁膜である。(45ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:838文字

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update:19/09/26