日経マイクロデバイス 2004/02号

Inside Logic
ワッカー● 極薄SOIを狙ったSIMOX技術を確立

 Si層下に埋め込み酸化層を形成するSIMOX型プロセスを確立した(図19)。O+イオンの注入深さが加速エネルギーにより精度良く制御されるため,高温熱処理後に膜厚均一性の良いSi層を形成でき,極薄Si層形成に適している。製造プロセスは比較的単純であり,通常のバルクSiウエーハ1枚からSOI(silicon on insulator)ウエーハ1枚ができるため,コスト低減への効果も期待できる。(68〜69ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2346文字

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update:19/09/26