日経マイクロデバイス 2004/02号

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「2003 IEDM」で ゲート長25nmの 高性能CMOSデバイスが登場

 「2003 IEDM」の「Aggressively Scaled Planar Devices」のセッションでは,主に90nmおよび65nmノードの高性能CMOSデバイス技術が発表された。ゲート長は65nmノードで25nmまで微細化されている発表があり,量産レベルでの微細化が加速しそうな勢いである。ここでも,プロセス中のひずみを制御する技術が目立った。また,7件の発表のうち,SOIデバイスが3件を占めた。(83ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:331文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > 光デバイス製品・技術 > 撮像素子
【記事に登場する企業】
東京大学
update:19/09/26