日経マイクロデバイス 2004/02号

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NAND型で40nmの32Gビット品 できることは「確認済み」 東芝が明言

 東芝は,NAND型フラッシュ・メモリーの微細化を少なくとも40nmまでは進められることを確認したと,「第2回半導体メモリー・シンポジウム」の基調講演で述べた。講演した同社セミコンダクター社メモリ事業部フラッシュメモリ事業戦略部部長の小林清志氏は,2006年に55nmで多値の16Gビット品,2007年に40nmで多値の32Gビット品を製品化する計画を示した。(85ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:397文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
東芝
update:19/09/26