日経マイクロデバイス 2004/02号

Report[Memory]
「RRAM」のCMR材料に新特性 静電容量が変化,応用はRF ICにも
次世代メモリーの材料開発者が明かす

 高速かつ大容量の次世代不揮発性メモリーとして高い可能性を持つ「RRAM(resistance RAM)」(表1)。その記憶素子に使う材料であるCMR(colossal magnetoresistive)の開発者が,これまで公にしていなかった特性を明らかにした。電圧パルスによって静電容量を大幅に変えられるとの特性を実験データから示した。(92〜93ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3612文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
新機能素子研究開発協会
米ヒューストン大学
update:19/09/26