日経マイクロデバイス 2004/04号

Cover Story Part5
NOR対NAND データ/プログラムの垣根を越えた競争に
フラッシュ・メモリー

携帯電話機に搭載するフラッシュ・メモリーでは,カメラ搭載の始まった普及機市場を舞台に「NOR 対 NAND」の第2幕を迎えた。第1幕では,NOR型の牙城を崩すべく,ビット単価の安いNAND型が一部の高級機に切り込み始めた。この第2幕では,NAND型のさらなる侵食を防ぐため,NOR型がNAND型に逆襲する。(58〜63ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:6807文字

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この特集全体
Cover Story(29ページ掲載)
デバイス新戦略 ケータイ5億市場で勝つ
Cover Story Part1(30〜35ページ掲載)
世界でいかに儲けるか 携帯デバイス戦略再構築
Cover Story Part2(36〜43ページ掲載)
MOS対CCD 画質ギャップ埋まり,MOS型へシフト
Cover Story Part3(44〜49ページ掲載)
1プロセサ対2プロセサ 中級機市場は1チップ化技術で制覇
Cover Story Part4(50〜57ページ掲載)
“P”対“A” a—Siとパッシブが海外攻略のカギ握る
Cover Story Part5(58〜63ページ掲載)
NOR対NAND データ/プログラムの垣根を越えた競争に
関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米インテル社
韓国・サムスン・エレクトロニクス社
スパンション・ジャパン
東芝
ルネサス テクノロジ
update:19/09/26