日経マイクロデバイス 2004/04号

Inside Memory
次世代露光は液浸に決まり

次世代の露光技術が,液浸ArFエキシマ・レーザー露光にほぼ固まった。少なくともハーフピッチ(hp)65nmへの導入は「ほぼ確定的」と多くの露光技術者が指摘している。LSI設計に工夫を施せばhp45nmへの導入も可能とされている。ほんの1年前までは,液浸技術の実現を疑問視する露光技術者がほとんどだった。しかし,ここへ来て技術的な課題が整理され,解決の方向性が見えてきた。(77〜80ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:4257文字

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update:19/09/26