日経マイクロデバイス 2004/07号

Cover Story Part2 次のLSIの競争力
歩留まり低下の処方せん “見えない欠陥”を観る技術
検査・解析

Cu配線,低誘電率(low—k)膜,ひずみSi,SOI(silicon on insulator)・・・。90nmノード(hp130)を境にデバイスに使う材料や構造が様変わりした。これによって,予期せぬ歩留まりの低下が頻発するようになっている。例えばCu配線の導入によって,従来は問題とならなかったビア底部の腐食が歩留まりの低下に深くかかわるようになっている。(34〜41ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:9548文字

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この特集全体
Cover Story 次のLSIの競争力(27ページ掲載)
次のLSIの競争力
Cover Story Part1 次のLSIの競争力(28〜31ページ掲載)
LSI製造力 “作る”から“見る”へ
Cover Story Part1 次のLSIの競争力(32〜33ページ掲載)
検査に付加価値が集中 装置メーカーは飛躍のチャンス
Cover Story Part2 次のLSIの競争力(34〜41ページ掲載)
歩留まり低下の処方せん “見えない欠陥”を観る技術
Cover Story Part3 次のLSIの競争力(42〜49ページ掲載)
遅延時間のチェックが必須に テスト・コスト最適化に各社が知恵絞る
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update:19/09/26