日経エレクトロニクス 2004/09/13号

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パワーMOSFET 耐圧40Vで,オン抵抗が低い

米International Rectifier Corp.は,通信機器に向けたnチャネル型パワーMOSFET「IRF7842」を発売した。耐圧は40Vで,オン抵抗はソース—ゲート間電圧VGS=+10Vのときに5mΩ,VGS=+4.5Vのときに5.9mΩと小さい。同社の1次側PWM(パルス幅変調)ICと組み合わせたときの効率は150Wの最大負荷時で95.2%と高い。ゲート電荷は標準で33nCである。(70ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:350文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
米インターナショナル・レクティファイアー社
update:19/09/26