日経エレクトロニクス 2004/09/13号

New Products
パワーMOSFET パッケージ寸法は1.6×2.4×0.65mm3

米Vishay Siliconix社は,パッケージ寸法が1.6×2.4×0.65mm3と小さいパワーMOSFET「Si8901EDB/Si8904EDB」を発売した。携帯機器に搭載するLiイオン2次電池の保護回路など向け。Si8901EDBはp型チャネルの品種。オン抵抗は30mΩである。ソース—ドレイン間の電圧は−20V。Si8904EDBはn型チャネルの品種で,オン抵抗は22.5mΩ。ソース—ドレイン間の電圧は+30V。(71ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:351文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
米ビシェイ・シリコニックス社
update:19/09/26