日経エレクトロニクス 2006/01/02号

特集 研究開発 物理に還る
研究開発 物理に還る

<基礎研究への回帰>物理に眠る宝の山を源流に戻り掘り起こす68<左手系メタマテリアル>常識を覆す各種部品を実現ハードルは挿入損失の低減75<スピン注入磁化反転>MRAMは「究極の高速メモリ」へ電子をぶつけて磁化を反転82<強相関系材料>超高密度メモリを求めてカギは材料と原理の追究86<研究開発トップ・インタビュー> 14社の研究トップ次世代…(65ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:261文字

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この特集全体
特集 研究開発 物理に還る(65ページ掲載)
研究開発 物理に還る
特集 研究開発 物理に還る(66〜67ページ掲載)
「あり得ない材料」で 閉塞感を突破する
特集 研究開発 物理に還る(68〜74ページ掲載)
<基礎研究への回帰> 物理に眠る宝の山を 源流に戻り掘り起こす
特集 研究開発 物理に還る(75〜81ページ掲載)
左手系メタマテリアル 常識を覆す各種部品を実現 ハードルは挿入損失の低減
特集 研究開発 物理に還る(82〜85ページ掲載)
スピン注入磁化反転 MRAMは「究極の高速メモリ」へ 電子をぶつけて磁化を反転
特集 研究開発 物理に還る(86〜89ページ掲載)
強相関系材料 超高密度メモリを求めて カギは材料と原理の追究
特集 研究開発 物理に還る(90〜104ページ掲載)
<研究開発トップ・インタビュー>  14社の研究開発トップ 次世代支える技術開発を語る
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update:19/09/26