日経エレクトロニクス 2006/01/02号

特集 研究開発 物理に還る
スピン注入磁化反転 MRAMは「究極の高速メモリ」へ 電子をぶつけて磁化を反転

 SRAM並みの高速性に,フラッシュ・メモリと同様な不揮発性,そして書き換え回数は無制限——こうした特性を持つ「究極のメモリ」につながる成果を,2005年12月にソニーが発表した。不揮発性を持つ8Kビットのメモリ・セル・アレイを試作,書き込み時間2nsを実現した。今後集積度を高めることができれば,設計ルール45nm以下でSRAMや混載DRAMを代替できる不揮発性メモリへ進化しそうだ。(82〜85ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:5030文字

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この特集全体
特集 研究開発 物理に還る(65ページ掲載)
研究開発 物理に還る
特集 研究開発 物理に還る(66〜67ページ掲載)
「あり得ない材料」で 閉塞感を突破する
特集 研究開発 物理に還る(68〜74ページ掲載)
<基礎研究への回帰> 物理に眠る宝の山を 源流に戻り掘り起こす
特集 研究開発 物理に還る(75〜81ページ掲載)
左手系メタマテリアル 常識を覆す各種部品を実現 ハードルは挿入損失の低減
特集 研究開発 物理に還る(82〜85ページ掲載)
スピン注入磁化反転 MRAMは「究極の高速メモリ」へ 電子をぶつけて磁化を反転
特集 研究開発 物理に還る(86〜89ページ掲載)
強相関系材料 超高密度メモリを求めて カギは材料と原理の追究
特集 研究開発 物理に還る(90〜104ページ掲載)
<研究開発トップ・インタビュー>  14社の研究開発トップ 次世代支える技術開発を語る
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update:19/09/26