日経エレクトロニクス 2006/01/02号

特集 研究開発 物理に還る
強相関系材料 超高密度メモリを求めて カギは材料と原理の追究

 素子の抵抗値を変化させて情報を記録する不揮発性メモリ「ReRAM(resistive RAM)」の開発が,にわかに注目を集めている。2005年12月に開催した半導体関連の国際会議「2005 IEDM」では,韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.や米Spansion LLCが最新の試作例を報告。このほかにも,水面下では国内外の多くの企業がReRAMの開発に着手しているもようだ。(86〜89ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:5806文字

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この特集全体
特集 研究開発 物理に還る(65ページ掲載)
研究開発 物理に還る
特集 研究開発 物理に還る(66〜67ページ掲載)
「あり得ない材料」で 閉塞感を突破する
特集 研究開発 物理に還る(68〜74ページ掲載)
<基礎研究への回帰> 物理に眠る宝の山を 源流に戻り掘り起こす
特集 研究開発 物理に還る(75〜81ページ掲載)
左手系メタマテリアル 常識を覆す各種部品を実現 ハードルは挿入損失の低減
特集 研究開発 物理に還る(82〜85ページ掲載)
スピン注入磁化反転 MRAMは「究極の高速メモリ」へ 電子をぶつけて磁化を反転
特集 研究開発 物理に還る(86〜89ページ掲載)
強相関系材料 超高密度メモリを求めて カギは材料と原理の追究
特集 研究開発 物理に還る(90〜104ページ掲載)
<研究開発トップ・インタビュー>  14社の研究開発トップ 次世代支える技術開発を語る
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update:19/09/26