日経エレクトロニクス 2006/04/24号

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東芝とSanDisk,フラッシュの新たな製造棟を建設へ

 東芝と米SanDisk社は東芝四日市工場に300mmウエハー対応のNAND型フラッシュ・メモリの製造棟を建設する。2006年8月に着工し,2007年第4四半期(10月〜12月)の量産開始の予定。製造棟の建設は東芝が担当し,製造設備は両社共同で購入する。投資額や生産規模などは今後検討を進める予定。(43ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:242文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > その他(エレクトロニクス製造)
【記事に登場する企業】
米サンディスク社
東芝
update:19/09/26