日経エレクトロニクス 2006/06/19号

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波長210nmの紫外LED 「絶縁体」のAlNで実現
紫外LEDの自由な設計に道 脇役から主役へ

 NTT物性科学基礎研究所は,AlN(窒化アルミニウム)結晶を半導体として用いた発光ダイオード(LED)を作製し,波長210nmと短波長での発光を確認した(図1)1)。発光出力は0.02μW,外部量子効率は10−6%と小さく,LEDとしての実用化には「少なくとも6ケタ足りない」(同研究所 機能物質科学研究部 薄膜材料研究グループの谷保芳孝氏)。(30〜31ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:3201文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > 光デバイス製品・技術 > 発光ダイオード(LED)
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > 設計(エレクトロニクス)
【記事に登場する企業】
NTT物性科学基礎研究所
update:19/09/26