日経エレクトロニクス 2006/07/03号

New Products GaN HEMT
ドレイン効率は3G帯域で最大67%

 米RF Micro Devices社は,GaN系半導体材料を使ったHEMTのサンプル出荷を始めた。第3世代携帯電話やWiMAXの基地局に向ける。アンプ回路に使った場合,投入電力が高周波出力電力に変換されるときの効率(ドレイン効率)は第3世代携帯電話の周波数帯域で最大67%,WiMAXの周波数帯域で同60%。電源電圧28Vのときの利得は16dBで,電力密度は4W/mmに達する。(57ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:394文字

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【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > エレクトロニクス設計・製造 > エレクトロニクス製造技術・装置
【記事に登場する企業】
米RFマイクロ・デバイセズ社
update:19/09/26