日経エレクトロニクス 2006/09/11号

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日立の半導体レーザ 直接変調でも40Gビット/秒
データ・センターに照準

 「一般には高速化が難しいとされる直接変調型の半導体レーザにおいて,40Gビット/秒の動作に成功した。実用化で重視される発振しきい値電流の低さは,世界トップ・レベルにある」(日立製作所 中央研究所 光デバイス研究プロジェクト 主任研究員の中原宏治氏)。日立製作所がこう胸を張るのが,GaInNAs活性層を用いた直接変調方式の半導体レーザである1)。(40〜41ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2680文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > 光デバイス製品・技術 > レーザー関連技術
【記事に登場する企業】
日立製作所
update:19/09/26