日経エレクトロニクス 2006/09/25号

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 20nm,256Gに向け Samsungがフラッシュ一新
 40nm世代の32Gビット品から適用

 韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.がNANDフラッシュ・メモリの大容量化でまたしても先陣を切った。2006年9月に,40nm世代の半導体技術で製造する32Gビット品を開発したと発表したのだ。NANDフラッシュ・メモリの容量を32Gビットに高めたことで,最大64Gバイトの小型メモリ・カードを実現できるという。(53ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1419文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
韓国・サムスン・エレクトロニクス社
update:19/09/26