日経Automotive 2007/01号

新製品 for engineer
トレンチ型ゲート構造を持つ パワーMOSFET

 ルネサス テクノロジは、車載用スイッチ向けパワーMOSFET「RJE0601JPE」をサンプル出荷した。過熱遮断機能を搭載したp型品として初めてトレンチ型のゲート構造を用いたという。ソース‐ドレイン間の耐圧は−60V、ドレイン電流は最大40A。今回トレンチ型のゲート構造を採用したことにより、オン抵抗はゲート‐ソース電圧が−10Vのとき最大25mΩに抑えた。(200ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:333文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
【記事に登場する企業】
ルネサス テクノロジ
update:19/09/26