日経エレクトロニクス 2008/11/17号

特集 覚醒するSiC
覚醒するSiC
パワー半導体がいよいよ次世代へ

第1部<業界動向>いよいよ使える段階へ価格低下のシナリオが見えた48第2部<技術動向>MOSFETは2009年に登場周辺技術の改善も急ピッチ58(根津 禎)…(45ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:149文字

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この特集全体
特集 覚醒するSiC(45ページ掲載)
覚醒するSiC
特集 覚醒するSiC(46〜47ページ掲載)
クルマから太陽光発電まで,数年後はSiCがあちこちに
特集 覚醒するSiC(48〜57ページ掲載)
いよいよ使える段階へ,価格低下のシナリオが見えた
特集 覚醒するSiC(58〜67ページ掲載)
MOSFETは2009年に登場周辺技術の改善も急ピッチ
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エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > IC・LSI
update:19/09/26