日経エレクトロニクス 2008/11/17号

特集 覚醒するSiC
MOSFETは2009年に登場周辺技術の改善も急ピッチ
第2部<技術動向>

 SiC素子や基板,周辺技術に関する研究開発のペースが,ここに来てグンと加速している。ただし,具体的な研究開発目標はそれぞれ異なっている(図1)。例えば,素子に関しては,ダイオードとトランジスタで目標が違うといった具合だ。 既に製品化済みのダイオードの場合,さらなる用途拡大が求められている。実現する一つの手法が,大電流化である。(58〜67ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:14918文字

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この特集全体
特集 覚醒するSiC(45ページ掲載)
覚醒するSiC
特集 覚醒するSiC(46〜47ページ掲載)
クルマから太陽光発電まで,数年後はSiCがあちこちに
特集 覚醒するSiC(48〜57ページ掲載)
いよいよ使える段階へ,価格低下のシナリオが見えた
特集 覚醒するSiC(58〜67ページ掲載)
MOSFETは2009年に登場周辺技術の改善も急ピッチ
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update:19/09/26