日経エレクトロニクス 2010/07/12号

NEレポート
いよいよ立ち上がるTSV,メモリと論理LSIをつなぐ
エルピーダが台湾2社と提携

 チップ同士を3次元的に接続するTSV(Si貫通電極)の市場が,一気に立ち上がる可能性が出てきた。これまでは画像センサなどの一部の用途に限られていたが,TSVを使った大容量DRAMの量産が早ければ2010年内にも始まる見通しとなった。 さらに,2012年前後にはTSVによるメモリと論理LSIの多点接続も始まる可能性が高まった。(8〜9ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1996文字

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マイクロンメモリジャパン
update:18/07/26