日経エレクトロニクス 2016/09号

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東芝がフラッシュ構造を一新 18年度に90%超を3次元に
信頼性は「2次元品より優れる」

 東芝と米Western Digital社は、NANDフラッシュメモリーを製造する東芝・四日市工場の新・第2棟の建屋全体が完成したと発表した。両社は今後メモリー事業に大規模投資を敢行する。東芝は、2016〜2018年度の3年間で計8600億円の設備投資を計画。(13ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:1214文字

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関連カテゴリ・企業名
【記事に含まれる分類カテゴリ】
企業・経営・ビジネス > 財務 > 投資・経費
エレクトロニクス > CPU・LSI製品・技術 > メモリー
【記事に登場する企業】
米ウエスタンデジタル社
東芝
update:19/09/26