日経エレクトロニクス 2016/10号

Breakthrough パワーデバイス、世界競争
パワーデバイス、世界競争
大手ファウンドリーや中国企業が続々参入

第1部:動向カスタム品から汎用品へ、パワー半導体が安く身近にp.28第2部:IGBTダイオード集積で低コスト化、モジュールは汎用性を競うp.34第3部:SiC閉塞感の打破に向けて、車載目指し大口径化を推進p.40第4部:GaN最大手ファウンドリーが参戦、水平分業で低価格化が…(27ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:289文字

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この特集全体
Breakthrough パワーデバイス、世界競争(27ページ掲載)
パワーデバイス、世界競争
Breakthrough パワーデバイス、世界競争(28〜33ページ掲載)
〔第1部:動向〕 カスタム品から汎用品へ パワー半導体が安く身近に
Breakthrough パワーデバイス、世界競争(34〜39ページ掲載)
〔第2部:IGBT〕 ダイオード集積で低コスト化 モジュールは汎用性を競う
Breakthrough パワーデバイス、世界競争(40〜43ページ掲載)
〔第3部:SiC〕 閉塞感の打破に向けて車載目指し大口径化を推進
Breakthrough パワーデバイス、世界競争(44〜47ページ掲載)
〔第4部:GaN〕 最大手ファウンドリーが参戦 水平分業で低価格化が加速
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update:19/09/26