日経エレクトロニクス 2016/11号

Challenger
酸化ガリウムでパワー半導体 課題を一掃し次世代の本命へ
FLOSFIA 代表取締役社長 人羅 俊実氏/京都大学 工学研究科附属 光・電子理工学教育研究センター 助教 金子 健太郎氏

次世代のパワー半導体材料「Ga2O3(酸化ガリウム)」で業界に新風を巻き起こしているのが京都大学発のベンチャーFLOSFIA(フロスフィア)。2016年に入り、酸化ガリウムのダイオードのサンプル出荷を開始。積年の技術課題にも解決のメドを付けた。(104〜105ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:2224文字

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FLOSFIA
update:19/09/26