日経エレクトロニクス 2019/02号

Emerging Tech 電子デバイス
混載MRAMとEUVは量産へ FinFET後継「GAA」も
量子コンピューターや5Gに照準、「2018 IEDM」報告

2018年12月に米国で開催された電子デバイス技術の旗艦学会「2018 IEDM」における注目の発表を東北大学 准教授の黒田理人氏が解説する。注目したのは、半導体集積回路・デバイス・プロセス技術に関する最新成果だ。(61〜68ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:11919文字

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東北大学
update:19/05/23