日経エレクトロニクス 2019/11号

Emerging Tech 電子デバイス
SiC−CMOSや激安ウエハー パワー半導体が多様に進化
SiCの国際学会「ICSCRM 2019」報告

 産業界からは、コストや信頼性の改善を狙った発表が相次いだ。デンソーは、SiCパワー半導体のコスト低減の最大の課題であるウエハーの低コスト化を狙って、高速の結晶成長技術「HTCVD(High Temperature Chemical Vapor Deposition)」について電力中央研究所と共同発…(87〜94ページ掲載記事から抜粋) *テキスト版記事の文字数:9780文字

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update:19/10/27